유품: 58765
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 C3M0075120K
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 5mA |
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Vgs (최대) | +19V, -8V |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-247-4L |
연속 | C3M™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 90 mOhm @ 20A, 15V |
전력 소비 (최대) | 119W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-247-4 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 26 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 51nC @ 15V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V |
상세 설명 | N-Channel 1200V 30.8A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30.8A (Tc) |