유품: 59668
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 C3M0120090J-TR
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 3mA |
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Vgs (최대) | +18V, -8V |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지 | D2PAK-7 |
연속 | C3M™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 155 mOhm @ 15A, 15V |
전력 소비 (최대) | 83W (Tc) |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
다른 이름들 | C3M0120090J-TRCT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
제조업체 표준 리드 타임 | 26 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 350pF @ 600V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900V |
상세 설명 | N-Channel 900V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Tc) |