유품: 57623
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 STB70NF03L-1
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
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Vgs (최대) | ±18V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | I2PAK |
연속 | STripFET™ II |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.5 mOhm @ 35A, 10V |
전력 소비 (최대) | 100W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1440pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I2PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |