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유품: 58604
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 SI2312-TP
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
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Vgs (최대) | ±8V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23 |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 41 mOhm @ 4.3A, 1.8V |
전력 소비 (최대) | 350mW (Ta) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들 | SI2312-TPMSTR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 22 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 865pF @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | N-Channel 20V 5A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Ta) |