유품: 312
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 EPC2801
전압 - 테스트 | 950pF @ 50V |
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전압 - 파괴 | Die |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 7 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (최대) | 5V |
과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
연속 | eGaN® |
RoHS 상태 | Cut Tape (CT) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 25A (Ta) |
편광 | Die |
다른 이름들 | 917-1035-1 |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호 | EPC2801 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10nC @ 5V |
IGBT 유형 | +6V, -5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5V @ 5mA |
FET 특징 | N-Channel |
확장 설명 | N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
기술 | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100V |
용량 비율 | - |