유품: 57991
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 FDD6N50TM
전압 - 테스트 | 9400pF @ 25V |
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전압 - 파괴 | D-Pak |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 900 mOhm @ 3A, 10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
연속 | UniFET™ |
RoHS 상태 | Tube |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6A (Tc) |
편광 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들 | FDD6N50TM-5 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호 | FDD6N50TM |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 16.6nC @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5V @ 250µA |
FET 특징 | N-Channel |
확장 설명 | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
기술 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500V |
용량 비율 | 89W (Tc) |