유품: 54125
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 ZXTN2010A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 60V |
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IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 210mV @ 200mA, 5A |
트랜지스터 유형 | NPN |
제조업체 장치 패키지 | TO-92 |
연속 | - |
전력 - 최대 | 1W |
포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 130MHz |
상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4.5A 130MHz 1W Through Hole TO-92 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 2A, 1V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 50nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 4.5A |
기본 부품 번호 | ZXTN2010A |