유품: 59452
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 FQS4903TF
전압 - 테스트 | 200pF @ 25V |
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전압 - 파괴 | 8-SO |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 6.2 Ohm @ 185mA, 10V |
연속 | QFET® |
RoHS 상태 | Cut Tape (CT) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 370mA |
전력 - 최대 | 2W |
편광 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | FQS4903TFCT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 9 Weeks |
제조업체 부품 번호 | FQS4903TF |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8.2nC @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 250µA |
FET 특징 | 2 N-Channel (Dual) |
확장 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 370mA 2W Surface Mount 8-SO |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | Standard |
기술 | MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500V |