유품: 701
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 TK62N60X,S1F
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 3.1mA |
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Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-247 |
연속 | DTMOSIV-H |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 40 mOhm @ 21A, 10V |
전력 소비 (최대) | 400W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
다른 이름들 | TK62N60X,S1F(S TK62N60XS1F |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6500pF @ 300V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 135nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | Super Junction |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
상세 설명 | N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 61.8A (Ta) |