유품: 59471
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 IPN80R1K2P7ATMA1
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 80µA |
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Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | PG-SOT223 |
연속 | CoolMOS™ P7 |
RoHS 현황 | RoHS Compliant |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V |
전력 소비 (최대) | 6.8W (Tc) |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | SOT-223-3 |
다른 이름들 | IPN80R1K2P7ATMA1CT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 500V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800V |
상세 설명 | N-Channel 800V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Tc) |