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유품: 52264
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 MT46V128M4CY-5B:J
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
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전압 - 공급 | 2.5 V ~ 2.7 V |
과학 기술 | SDRAM - DDR |
연속 | - |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 512Mb (128M x 4) |
메모리 인터페이스 | Parallel |
메모리 형식 | DRAM |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps |
클럭 주파수 | 200MHz |
액세스 시간 | 700ps |