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유품: 59690
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 SI9945BDY-T1-GE3
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
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제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
전력 - 최대 | 3.1W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 665pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.3A |
기본 부품 번호 | SI9945 |