유품: 53480
우리는 매우 경쟁력있는 가격으로 EMD29T2R의 유통 업체입니다.빠른 RFQ 양식을 사용하여 EMD29T2R 최신 PIRCE, 인벤토리 및 리드 타임을 확인하십시오.EMD29T2R의 품질과 진위에 대한 우리의 약속은 흔들리지 않으며, EMD29T2R의 무결성을 보장하기 위해 엄격한 품질 검사 및 배송 프로세스를 구현했습니다.여기에서 EMD29T2R 데이터 시트를 찾을 수도 있습니다.
표준 포장 통합 회로 구성 요소 EMD29T2R
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V, 12V |
---|---|
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | EMT6 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 1 kOhms, 10 kOhms |
전력 - 최대 | 120mW |
포장 | Original-Reel® |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
다른 이름들 | EMD29T2RDKR |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 250MHz, 260MHz |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA, 500mA |
기본 부품 번호 | *MD29 |