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유품: 412
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 LP0701N3-G
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA |
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Vgs (최대) | ±10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-92 |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.5 Ohm @ 300mA, 5V |
전력 소비 (최대) | 1W (Tc) |
포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 17 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 250pF @ 15V |
FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2V, 5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 16.5V |
상세 설명 | P-Channel 16.5V 500mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA (Tj) |