유품: 59404
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 BTS110NKSA1
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 1mA |
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과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB |
연속 | TEMPFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 200 mOhm @ 5A, 10V |
전력 소비 (최대) | - |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
다른 이름들 | BTS110 BTS110-ND SP000011184 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 600pF @ 25V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
상세 설명 | N-Channel 100V 10A (Tc) Through Hole TO-220AB |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) |