유품: 57516
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 NE3516S02-T1C-A
전압 - 테스트 | 2V |
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전압 - 정격 | 4V |
트랜지스터 유형 | N-Channel GaAs HJ-FET |
제조업체 장치 패키지 | S02 |
연속 | - |
전력 - 출력 | 165mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 4-SMD, Flat Leads |
잡음 지수 | 0.35dB |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
이득 | 14dB |
회수 | 12GHz |
상세 설명 | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
정격 전류 | 60mA |
전류 - 테스트 | 10mA |