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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-양극 (bjt)-rfMS3022

MS3022의 라벨 및 바디 표시는 순서 후에 제공 될 수 있습니다.

MS3022

메가 소스 #: MEGA-MS3022
제조사: Microsemi
포장: Bulk
기술: TRANS RF BIPO 7W 200MA M210
ROHS 준수: 무연 / RoHS 준수
Datasheet:

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유품: 57790

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규격

표준 포장 통합 회로 구성 요소 MS3022

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 200mA
전압 - 파괴 M210
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 45V
연속 -
RoHS 상태 Bulk
저항기 -베이스 (R1) (옴) 1GHz ~ 2GHz
전력 - 최대 7W
편광 M210
작동 온도 200°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 MS3022
이득 -
주파수 - 전환 15 @ 100mA, 5V
FET 유형 7dB
확장 설명 RF Transistor NPN 45V 200mA 1GHz ~ 2GHz 7W Chassis Mount M210
기술 TRANS RF BIPO 7W 200MA M210
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) NPN

MS3022 FAQ

에프우리의 제품은 양질의 제품입니까?품질 보증이 있습니까?
엄격한 스크리닝을 통한 당사의 제품은 사용자가 품질 문제가있는 경우 진정한 보증 제품을 구매할 수 있도록 언제든지 반환 할 수 있습니다!
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20

업계 전문 지식

100

주문 품질 확인

2000

클라이언트

15,000

재고 창고
MegaSource Co., LTD.