유품: 58332
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 FQPF6N80T
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
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Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-220F |
연속 | QFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V |
전력 소비 (최대) | 51W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
다른 이름들 | FQPF6N80T-ND FQPF6N80TFS |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800V |
상세 설명 | N-Channel 800V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.3A (Tc) |