유품: 52981
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 EMG2DXV5T1G
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
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IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | SOT-553 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 47 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 47 kOhms |
전력 - 최대 | 230mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | SOT-553 |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | - |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 80 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | EMG |