유품: 51396
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표준 포장 통합 회로 구성 요소 TSM150NB04CR RLG
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
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Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 8-PDFN (5x6) |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15 mOhm @ 10A, 10V |
전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 56W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
다른 이름들 | TSM150NB04CRRLGTR |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1092pF @ 20V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V |
상세 설명 | N-Channel 40V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta), 41A (Tc) |